Name: SCTW60N120G2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-SCTW60N120G2-ND
Price: 83.4186 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SCTW60N120G2
Numer produktu DigiKey	497-SCTW60N120G2-ND
Producent	STMicroelectronics
Numer produktu producenta	SCTW60N120G2
Opis	DISCRETE
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 1200 V 60A (Tc) 389W (Tc) Otwór przelotowy HiP247™
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SCTW60N120G2 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	STMicroelectronics
Seria	-
Opakowanie	Zbiorcze
Status części	Ostatnio kupiono
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	1200 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	60A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	18V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	52mOhm przy 30A, 18V
Vgs(th) (maks.) przy Id	5V przy 1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	94 nC @ 8 V
Vgs (maks.)	+18V, -5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1969 pF @ 800 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	389W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 200°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia	HiP247™
Obudowa / skrzynia	TO-247-3
Bazowy numer produktu	SCTW60

Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

W magazynie: 444

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Po wyczerpaniu dostępnych zapasów tego produktu, obowiązywać będą standardowe opakowania i czasy realizacji określone przez producenta. Wyświetl Zamienniki.

Data ostatniego zakupu: 15.02.2026

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Zbiorcze