SCTW60N120G2 STMicroelectronics | Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze

SCTW60N120G2
Numer produktu DigiKey	497-SCTW60N120G2-ND
Producent	STMicroelectronics
Numer produktu producenta	SCTW60N120G2
Opis	DISCRETE
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 1200 V 60A (Tc) 389W (Tc) Otwór przelotowy HiP247™
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SCTW60N120G2 Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	STMicroelectronics
Seria	-
Opakowanie	Zbiorcze
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	1200 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	60A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	18V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	52mOhm przy 30A, 18V
Vgs(th) (maks.) przy Id	5V przy 1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	94 nC @ 8 V
Vgs (maks.)	+18V, -5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1969 pF @ 800 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	389W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 200°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia	HiP247™
Obudowa / skrzynia	TO-247-3
Bazowy numer produktu	SCTW60

Cena jednostkowa bez VAT:	67,98000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	83,61540 zł

SCTW60N120G2