
SCT50N120 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | 497-16598-5-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | SCT50N120 |
Opis | SICFET N-CH 1200V 65A HIP247 |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 1200 V 65A (Tc) 318W (Tc) Otwór przelotowy HiP247™ |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | SCT50N120 Modele |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Prod. | ||
Seria | - | |
Opakowanie | Rurka | |
Status części | Ostatnio kupiono | |
Typ FET | ||
Technologia | ||
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 1200 V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | ||
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) | 20V | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 69mOhm przy 40A, 20V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 3V przy 1mA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 122 nC @ 20 V | |
Vgs (maks.) | +25V, -10V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 1900 pF @ 400 V | |
Charakterystyka FET | - | |
Straty mocy (maks.) | 318W (Tc) | |
Temperatura robocza | -55°C - 200°C (TJ) | |
Klasa | - | |
Kwalifikacja | - | |
Typ mocowania | Otwór przelotowy | |
Obudowa dostawcy urządzenia | HiP247™ | |
Obudowa / skrzynia | ||
Bazowy numer produktu |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 100,39000 zł | 100,39 zł |
| 30 | 64,86367 zł | 1 945,91 zł |
| 120 | 61,76250 zł | 7 411,50 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 100,39000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 123,47970 zł |










