Kanał N 1200 V 65A (Tc) 318W (Tc) Otwór przelotowy HiP247™
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SCT50N120

Numer produktu DigiKey
497-16598-5-ND
Producent
STMicroelectronics
Numer produktu producenta
SCT50N120
Opis
SICFET N-CH 1200V 65A HIP247
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 1200 V 65A (Tc) 318W (Tc) Otwór przelotowy HiP247™
Arkusz danych
 Arkusz danych
Modele EDA/CAD
SCT50N120 Modele
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
STMicroelectronics
Seria
-
Opakowanie
Rurka
Status części
Nieaktualne
Typ FET
Kanał N
Technologia
SiCFET (węglik krzemu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
1200 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
65A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
20V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
69mOhm przy 40A, 20V
Vgs(th) (maks.) przy Id
3V przy 1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
122 nC @ 20 V
Vgs (maks.)
+25V, -10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
1900 pF @ 400 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
318W (Tc)
Temperatura robocza
-55°C - 200°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia
HiP247™
Obudowa / skrzynia
TO-247-3
Bazowy numer produktu
SCT50
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

W magazynie: 230
Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu
Ten produkt nie jest już produkowany, a jego zapasy nie będą uzupełniane po wyczerpaniu. Wyświetl Zamienniki.
Ilość
Wszystkie ceny podano w PLN
Rurka
Ilość Cena jednostkowa Wartość
1100,62000 zł100,62 zł
3065,01267 zł1 950,38 zł
12061,90425 zł7 428,51 zł
Opakowanie standardowe producenta
Uwaga: W przypadku zakupu produktu w ilości niższej od opakowania standardowego, rodzaj opakowania może ulec zmianie ze względu na usługi o wartości dodanej świadczone przez DigiKey.
Cena jednostkowa bez VAT:100,62000 zł
Cena jednostkowa z VAT:123,76260 zł