SCT20N120H jest przestarzałe i nie jest już produkowane.
Dostępne zamienniki:

Similar

SCT3160KLGC11
Rohm Semiconductor
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 42,48000 zł
Arkusz danych
Wyświetl i porównaj wszystkie zamienniki
Kanał N 1200 V 20A (Tc) 175W (Tc) Montaż powierzchniowy H2PAK-2
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SCT20N120H

Numer produktu DigiKey
497-SCT20N120HTR-ND - Taśma i szpula (TR)
497-SCT20N120HCT-ND - Taśma cięta (CT)
497-SCT20N120HDKR-ND - Digi-Reel®
Producent
STMicroelectronics
Numer produktu producenta
SCT20N120H
Opis
SICFET N-CH 1200V 20A H2PAK-2
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 1200 V 20A (Tc) 175W (Tc) Montaż powierzchniowy H2PAK-2
Arkusz danych
 Arkusz danych
Modele EDA/CAD
SCT20N120H Modele
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
STMicroelectronics
Seria
-
Opakowanie
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Status części
Nieaktualne
Typ FET
Kanał N
Technologia
SiCFET (węglik krzemu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
1200 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
20A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
20V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
290mOhm przy 10A, 20V
Vgs(th) (maks.) przy Id
3,5V przy 1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
45 nC @ 20 V
Vgs (maks.)
+25V, -10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
650 pF @ 400 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
175W (Tc)
Temperatura robocza
-55°C - 200°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia
H2PAK-2
Obudowa / skrzynia
TO-263-3, D2PAK (2 odpr. + wypust), TO-263AB
Bazowy numer produktu
SCT20
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

Przestarzałe
Ten produkt nie jest już produkowany. Wyświetl Zamienniki.