Similar

SCT040W120G3-4 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | 497-SCT040W120G3-4-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | SCT040W120G3-4 |
Opis | SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120 |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 17 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 1200 V 40A (Tc) 312W (Tc) Otwór przelotowy TO-247-4 |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Prod. | ||
Seria | * | |
Opakowanie | Rurka | |
Status części | Aktywny | |
Typ FET | ||
Technologia | ||
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 1200 V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | ||
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) | 15V, 18V | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 54mOhm przy 16A, 18V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 4,2V przy 5mA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 56 nC @ 18 V | |
Vgs (maks.) | +18V, -5V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 1329 pF @ 800 V | |
Charakterystyka FET | - | |
Straty mocy (maks.) | 312W (Tc) | |
Temperatura robocza | -55°C - 200°C (TJ) | |
Klasa | - | |
Kwalifikacja | - | |
Typ mocowania | Otwór przelotowy | |
Obudowa dostawcy urządzenia | TO-247-4 | |
Obudowa / skrzynia | ||
Bazowy numer produktu |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 57,65000 zł | 57,65 zł |
| 30 | 35,46433 zł | 1 063,93 zł |
| 120 | 30,60800 zł | 3 672,96 zł |
| 510 | 30,42149 zł | 15 514,96 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 57,65000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 70,90950 zł |



