Name: SCT025H120G3AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-SCT025H120G3AGTR-ND
Price: 81.0939 PLN
Availability: OutOfStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SCT025H120G3AG
Numer produktu DigiKey	497-SCT025H120G3AGTR-ND - Taśma i szpula (TR) 497-SCT025H120G3AGCT-ND - Taśma cięta (CT) 497-SCT025H120G3AGDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	STMicroelectronics
Numer produktu producenta	SCT025H120G3AG
Opis	AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
Standardowy czas realizacji przez producenta	21 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 1200 V 55A (Tc) 375W (Tc) Montaż powierzchniowy H2PAK-7
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 73 nC @ 18 V
Prod. STMicroelectronics	Vgs (maks.) +18V, -5V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 1990 pF @ 800 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 375W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Technologia SiCFET (węglik krzemu)	Klasa Motoryzacja
Napięcie dren-źródło (Vdss) 1200 V	Kwalifikacja AEC-Q101
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 55A (Tc)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 15V, 18V	Obudowa dostawcy urządzenia H2PAK-7
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 37mOhm przy 25A, 18V	Obudowa / skrzynia TO-263-8, D2PAK (7 odpr. + wypust), TO-263CA
Vgs(th) (maks.) przy Id 4,2V przy 5mA