
SIRA20DP-T1-RE3 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | SIRA20DP-T1-RE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SIRA20DP-T1-RE3CT-ND - Taśma cięta (CT) SIRA20DP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Producent | |
Numer produktu producenta | SIRA20DP-T1-RE3 |
Opis | MOSFET N-CH 25V 81.7A/100A PPAK |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 55 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 25 V 81,7A (Ta), 100A (Tc) 6,25W (Ta), 104W (Tc) Montaż powierzchniowy PowerPAK® SO-8 |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | SIRA20DP-T1-RE3 Modele |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Prod. | ||
Seria | ||
Opakowanie | Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel® | |
Status części | Aktywny | |
Typ FET | ||
Technologia | ||
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 25 V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | ||
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) | 4,5V, 10V | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 0,58mOhm przy 20A, 10V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 2,1V przy 250µA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 200 nC @ 10 V | |
Vgs (maks.) | +16V, -12V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 10850 pF @ 10 V | |
Charakterystyka FET | - | |
Straty mocy (maks.) | 6,25W (Ta), 104W (Tc) | |
Temperatura robocza | -55°C - 150°C (TJ) | |
Klasa | - | |
Kwalifikacja | - | |
Typ mocowania | Montaż powierzchniowy | |
Obudowa dostawcy urządzenia | PowerPAK® SO-8 | |
Obudowa / skrzynia | ||
Bazowy numer produktu |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 10,31000 zł | 10,31 zł |
| 10 | 6,66900 zł | 66,69 zł |
| 100 | 4,59210 zł | 459,21 zł |
| 500 | 3,76386 zł | 1 881,93 zł |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 3 000 | 3,07504 zł | 9 225,12 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 10,31000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 12,68130 zł |

