


S3M0040120J | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | 1655-S3M0040120J-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | S3M0040120J |
Opis | MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 12 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 1200 V 76A (Tc) 600W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-263-7 |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Prod. | ||
Seria | - | |
Opakowanie | Rurka | |
Status części | Aktywny | |
Typ FET | ||
Technologia | ||
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 1200 V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | ||
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) | 18V | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 52mOhm przy 40A, 18V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 4V przy 16mA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 143 nC @ 18 V | |
Vgs (maks.) | +20V, -8V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 2844 pF @ 1000 V | |
Charakterystyka FET | - | |
Straty mocy (maks.) | 600W (Tc) | |
Temperatura robocza | -55°C - 175°C (TJ) | |
Klasa | - | |
Kwalifikacja | - | |
Typ mocowania | Montaż powierzchniowy | |
Obudowa dostawcy urządzenia | TO-263-7 | |
Obudowa / skrzynia |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 41,47000 zł | 41,47 zł |
| 50 | 23,29880 zł | 1 164,94 zł |
| 100 | 21,55080 zł | 2 155,08 zł |
| 500 | 19,83494 zł | 9 917,47 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 41,47000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 51,00810 zł |






