Ustawienia
Szybka dostawa
Bezpłatna wysyłka
Incoterms
Typy płatności
Produkt z platformy handlowej
Nowy produkt
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.
S3M0012120K | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | 1655-S3M0012120K-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | S3M0012120K |
Opis | DIODE MOSFETS SILICON CARBIDES 1 |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 12 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 1200 V 155A (Tc) 937W (Tc) Otwór przelotowy TO-247-4 |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Atrybuty produktu
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Prod. | ||
Seria | - | |
Opakowanie | Rurka | |
Status części | Aktywny | |
Typ FET | ||
Technologia | ||
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 1200 V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | ||
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) | 18V | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 16mOhm przy 100A, 18V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 4V przy 40mA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 347 nC @ 18 V | |
Vgs (maks.) | +18V, -4V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 6358 pF @ 1000 V | |
Charakterystyka FET | - | |
Straty mocy (maks.) | 937W (Tc) | |
Temperatura robocza | -55°C - 175°C (TJ) | |
Klasa | - | |
Kwalifikacja | - | |
Typ mocowania | Otwór przelotowy | |
Obudowa dostawcy urządzenia | TO-247-4 | |
Obudowa / skrzynia |
W magazynie: 180
Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu
Ilość
Wszystkie ceny podano w PLN
Rurka
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 74,55000 zł | 74,55 zł |
| 30 | 46,92233 zł | 1 407,67 zł |
| 120 | 42,33433 zł | 5 080,12 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 74,55000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 91,69650 zł |
Mogą Cię również zainteresować
1 Pozycje
Polska