Ustawienia
Szybka dostawa
Bezpłatna wysyłka
Incoterms
Typy płatności
Produkt z platformy handlowej
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.
S2M0160120J | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | 1655-S2M0160120J-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | S2M0160120J |
Opis | MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 12 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 1200 V 16A (Tc) 122W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-263-7 |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Atrybuty produktu
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Prod. | ||
Seria | - | |
Opakowanie | Rurka | |
Status części | Aktywny | |
Typ FET | ||
Technologia | ||
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 1200 V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | ||
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) | 20V | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 196mOhm przy 10A, 20V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 4V przy 2,5mA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 26.5 nC @ 20 V | |
Vgs (maks.) | +20V, -5V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 513 pF @ 1000 V | |
Charakterystyka FET | - | |
Straty mocy (maks.) | 122W (Tc) | |
Temperatura robocza | -55°C - 175°C (TJ) | |
Klasa | - | |
Kwalifikacja | - | |
Typ mocowania | Montaż powierzchniowy | |
Obudowa dostawcy urządzenia | TO-263-7 | |
Obudowa / skrzynia |
W magazynie: 296
Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu
Ilość
Wszystkie ceny podano w PLN
Rurka
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 23,24000 zł | 23,24 zł |
| 10 | 15,62500 zł | 156,25 zł |
| 100 | 11,29920 zł | 1 129,92 zł |
| 500 | 9,45598 zł | 4 727,99 zł |
| 1 000 | 9,23876 zł | 9 238,76 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 23,24000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 28,58520 zł |
Mogą Cię również zainteresowaćZobacz wszystko
9 Pozycje
Polska