
S2M0160120D | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | 1655-S2M0160120D-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | S2M0160120D |
Opis | MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 12 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 1200 V 17A (Tc) 130W (Tc) Otwór przelotowy TO-247AD |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Prod. | ||
Seria | - | |
Opakowanie | Rurka | |
Status części | Aktywny | |
Typ FET | ||
Technologia | ||
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 1200 V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | ||
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) | 20V | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 196mOhm przy 10A, 20V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 4V przy 2,5mA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 26.5 nC @ 20 V | |
Vgs (maks.) | +20V, -5V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 513 pF @ 1000 V | |
Charakterystyka FET | - | |
Straty mocy (maks.) | 130W (Tc) | |
Temperatura robocza | -55°C - 175°C (TJ) | |
Klasa | - | |
Kwalifikacja | - | |
Typ mocowania | Otwór przelotowy | |
Obudowa dostawcy urządzenia | TO-247AD | |
Obudowa / skrzynia |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 19,11000 zł | 19,11 zł |
| 10 | 12,69700 zł | 126,97 zł |
| 300 | 7,94953 zł | 2 384,86 zł |
| 600 | 7,38515 zł | 4 431,09 zł |
| 1 200 | 7,09171 zł | 8 510,05 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 19,11000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 23,50530 zł |






