Name: S2M0080120J
Brand: SMC Diode Solutions
SKU: 1655-S2M0080120J-ND
Price: 40.7376 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

S2M0080120J
Numer produktu DigiKey	1655-S2M0080120J-ND
Producent	SMC Diode Solutions
Numer produktu producenta	S2M0080120J
Opis	MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Standardowy czas realizacji przez producenta	12 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 1200 V 37A (Tj) 234W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-263-7
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	SMC Diode Solutions
Seria	-
Opakowanie	Rurka
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	SiCFET (węglik krzemu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	1200 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	37A (Tj)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	20V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	100mOhm przy 20A, 20V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 10mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	54 nC @ 20 V
Vgs (maks.)	+20V, -5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1324 pF @ 1000 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	234W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-263-7
Obudowa / skrzynia	TO-263-8, D2PAK (7 odpr. + wypust), TO-263CA

Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

W magazynie: 203

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Rurka

Ilość	Cena jednostkowa	Wartość
1	33,12000 zł	33,12 zł
10	22,68500 zł	226,85 zł
100	16,77270 zł	1 677,27 zł
500	14,77820 zł	7 389,10 zł

Uwaga: W przypadku zakupu produktu w ilości niższej od opakowania standardowego, rodzaj opakowania może ulec zmianie ze względu na usługi o wartości dodanej świadczone przez DigiKey.