Kanał N 1200 V 55A (Tj) 348W (Tc) Otwór przelotowy TO-247AD
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

S2M0040120D-1

Numer produktu DigiKey
1655-S2M0040120D-1-ND
Producent
SMC Diode Solutions
Numer produktu producenta
S2M0040120D-1
Opis
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Standardowy czas realizacji przez producenta
12 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 1200 V 55A (Tj) 348W (Tc) Otwór przelotowy TO-247AD
Arkusz danych
 Arkusz danych
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
SMC Diode Solutions
Seria
-
Opakowanie
Rurka
Status części
Aktywny
Typ FET
Kanał N
Technologia
SiCFET (węglik krzemu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
1200 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
55A (Tj)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
20V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
52mOhm przy 40A, 20V
Vgs(th) (maks.) przy Id
4V przy 10mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
92.1 nC @ 20 V
Vgs (maks.)
+20V, -5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
1904 pF @ 1000 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
348W (Tc)
Temperatura robocza
-55°C - 175°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia
TO-247AD
Obudowa / skrzynia
TO-247-3
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

W magazynie: 237
Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu
Ilość
Wszystkie ceny podano w PLN
Rurka
Ilość Cena jednostkowa Wartość
139,36000 zł39,36 zł
1027,19400 zł271,94 zł
30018,51210 zł5 553,63 zł
Opakowanie standardowe producenta
Uwaga: W przypadku zakupu produktu w ilości niższej od opakowania standardowego, rodzaj opakowania może ulec zmianie ze względu na usługi o wartości dodanej świadczone przez DigiKey.
Cena jednostkowa bez VAT:39,36000 zł
Cena jednostkowa z VAT:48,41280 zł
Mogą Cię również zainteresować
1 Pozycje
NTHL040N120SC1

NTHL040N120SC1

SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3

onsemi

80,37000 zł