Ustawienia
Szybka dostawa
Bezpłatna wysyłka
Incoterms
Typy płatności
Produkt z platformy handlowej
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.
S2M0025120J | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | 1655-S2M0025120J-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | S2M0025120J |
Opis | MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 12 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 1200 V 70A (Tj) 311W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-263-7 |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Atrybuty produktu
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Prod. | ||
Seria | - | |
Opakowanie | Rurka | |
Status części | Aktywny | |
Typ FET | ||
Technologia | ||
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 1200 V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | ||
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) | 20V | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 34mOhm przy 50A, 20V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 4V przy 15mA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 177 nC @ 20 V | |
Vgs (maks.) | +25V, -10V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 4150 pF @ 1000 V | |
Charakterystyka FET | - | |
Straty mocy (maks.) | 311W (Tc) | |
Temperatura robocza | -55°C - 175°C (TJ) | |
Klasa | - | |
Kwalifikacja | - | |
Typ mocowania | Montaż powierzchniowy | |
Obudowa dostawcy urządzenia | TO-263-7 | |
Obudowa / skrzynia |
W magazynie: 34
Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu
Ilość
Wszystkie ceny podano w PLN
Rurka
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 62,99000 zł | 62,99 zł |
| 50 | 36,90920 zł | 1 845,46 zł |
| 100 | 34,40370 zł | 3 440,37 zł |
| 500 | 34,08860 zł | 17 044,30 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 62,99000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 77,47770 zł |
Polska