Name: S2M0016120K-1
Brand: SMC Diode Solutions
SKU: 1655-S2M0016120K-1-ND
Price: 79.1874 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

S2M0016120K-1
Numer produktu DigiKey	1655-S2M0016120K-1-ND
Producent	SMC Diode Solutions
Numer produktu producenta	S2M0016120K-1
Opis	MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Standardowy czas realizacji przez producenta	12 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 1200 V 140A (Tc) 517W (Tc) Otwór przelotowy TO-247-4
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	SMC Diode Solutions
Seria	-
Opakowanie	Rurka
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	SiCFET (węglik krzemu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	1200 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	140A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	18V, 20V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	23mOhm przy 75A, 20V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3,6V przy 23mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	285 nC @ 20 V
Vgs (maks.)	+20V, -5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	4540 pF @ 1000 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	517W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-247-4
Obudowa / skrzynia	TO-247-4

Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

W magazynie: 147

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Rurka

Ilość	Cena jednostkowa	Wartość
1	64,38000 zł	64,38 zł
10	45,75700 zł	457,57 zł
300	35,07743 zł	10 523,23 zł

Opakowanie standardowe producenta

Uwaga: W przypadku zakupu produktu w ilości niższej od opakowania standardowego, rodzaj opakowania może ulec zmianie ze względu na usługi o wartości dodanej świadczone przez DigiKey.