Name: S1M1000170J
Brand: SMC Diode Solutions
SKU: 1655-S1M1000170JTR-ND
Price: 23.7144 PLN
Availability: OutOfStock

Nowy produkt

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

S1M1000170J
Numer produktu DigiKey	1655-S1M1000170JTR-ND - Taśma i szpula (TR) 1655-S1M1000170JCT-ND - Taśma cięta (CT) 1655-S1M1000170JDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	SMC Diode Solutions
Numer produktu producenta	S1M1000170J
Opis	MOSFETS SILICON CARBIDES 1700V 1
Standardowy czas realizacji przez producenta	12 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 1700 V 5,8A (Tc) 100W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-263-7
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 4V przy 500µA
Prod. SMC Diode Solutions	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 10 nC @ 20 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) +20V, -5V
Status części Aktywny	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 160 pF @ 1000 V
Typ FET Kanał N	Straty mocy (maks.) 100W (Tc)
Technologia SiCFET (węglik krzemu)	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 1700 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 5,8A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia TO-263-7
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 20V	Obudowa / skrzynia TO-263-8, D2PAK (7 odpr. + wypust), TO-263CA
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 1,3Ohm przy 2A, 20V