Name: S1M1000170J
Brand: SMC Diode Solutions
SKU: 1655-S1M1000170JTR-ND
Price: 22.5951 PLN
Availability: InStock

Nowy produkt

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

S1M1000170J
Numer produktu DigiKey	1655-S1M1000170JTR-ND - Taśma i szpula (TR) 1655-S1M1000170JCT-ND - Taśma cięta (CT) 1655-S1M1000170JDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	SMC Diode Solutions
Numer produktu producenta	S1M1000170J
Opis	MOSFETS SILICON CARBIDES 1700V 1
Standardowy czas realizacji przez producenta	12 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 1700 V 5,8A (Tc) 100W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-263-7
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	SMC Diode Solutions
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	SiCFET (węglik krzemu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	1700 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	5,8A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	20V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	1,3Ohm przy 2A, 20V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 500µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	10 nC @ 20 V
Vgs (maks.)	+20V, -5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	160 pF @ 1000 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	100W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-263-7
Obudowa / skrzynia	TO-263-8, D2PAK (7 odpr. + wypust), TO-263CA