Name: SL10N10A
Brand: Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
SKU: 5399-SL10N10ATR-ND
Price: 1.5006 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SL10N10A
Numer produktu DigiKey	5399-SL10N10ATR-ND - Taśma i szpula (TR) 5399-SL10N10ACT-ND - Taśma cięta (CT) 5399-SL10N10ADKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
Numer produktu producenta	SL10N10A
Opis	100V 1 N-CHANNEL 3.1W10ASOT-223-
Standardowy czas realizacji przez producenta	4 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 15A (Tc) 3,1W (Tc) Montaż powierzchniowy SOT-223
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 3V przy 250µA
Prod. Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 26 nC @ 10 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±20V
Status części Aktywny	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 1070 pF @ 50 V
Typ FET Kanał N	Straty mocy (maks.) 3,1W (Tc)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza 150°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 100 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 15A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia SOT-223
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 4,5V, 10V	Obudowa / skrzynia TO-261-4, TO-261AA
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 95mOhm przy 10A, 10V

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

W magazynie: 1 369

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)