Name: FDN327N
Brand: Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
SKU: 5399-FDN327NTR-ND
Price: 0.615 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

FDN327N
Numer produktu DigiKey	5399-FDN327NTR-ND - Taśma i szpula (TR) 5399-FDN327NCT-ND - Taśma cięta (CT) 5399-FDN327NDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
Numer produktu producenta	FDN327N
Opis	20V 2A 500MW 70M@4.5V,2A 1.5V@25
Standardowy czas realizacji przez producenta	4 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 20 V 2A (Tc) 500mW (Tc) Montaż powierzchniowy SOT-23
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 1,5V przy 250µA
Prod. Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 3.6 nC @ 10 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±8V
Status części Aktywny	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 222 pF @ 10 V
Typ FET Kanał N	Straty mocy (maks.) 500mW (Tc)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza 150°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 20 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 2A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia SOT-23
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 1,8V, 4,5V	Obudowa / skrzynia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 70mOhm przy 2A, 4,5V

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

W magazynie: 1

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)