
GCMS008C120S1-E1 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | 1560-GCMS008C120S1-E1-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | GCMS008C120S1-E1 |
Opis | GEN3 1200V 8M SIC MOSFET & SBD |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 22 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 1200 V 189A (Tc) 536W (Tc) Montaż na podstawie montażowej SOT-227 |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Prod. | ||
Seria | ||
Opakowanie | Rurka | |
Status części | Aktywny | |
Typ FET | ||
Technologia | ||
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 1200 V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | ||
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) | 18V | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 12mOhm przy 100A, 18V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 4V przy 40mA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 506 nC @ 18 V | |
Vgs (maks.) | +22V, -8V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 14085 pF @ 1000 V | |
Charakterystyka FET | - | |
Straty mocy (maks.) | 536W (Tc) | |
Temperatura robocza | -55°C - 175°C (TJ) | |
Klasa | - | |
Kwalifikacja | - | |
Typ mocowania | Montaż na podstawie montażowej | |
Obudowa dostawcy urządzenia | SOT-227 | |
Obudowa / skrzynia |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 154,05000 zł | 154,05 zł |
| 10 | 115,28600 zł | 1 152,86 zł |
| 100 | 105,49950 zł | 10 549,95 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 154,05000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 189,48150 zł |


