EKI06075 Sanken Electric USA Inc. | Półprzewodniki dyskretne

EKI06075 jest przestarzałe i nie jest już produkowane.

Dostępne zamienniki:

Similar

Diodes Incorporated

W magazynie: 0

Cena jednostkowa : 4,38620 zł

Similar

Diodes Incorporated

W magazynie: 0

Cena jednostkowa : 7,10000 zł

Similar

Infineon Technologies

W magazynie: 100

Cena jednostkowa : 9,70000 zł

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

EKI06075
Numer produktu DigiKey	EKI06075-ND
Producent	Sanken Electric USA Inc.
Numer produktu producenta	EKI06075
Opis	MOSFET N-CH 60V 78A TO220-3
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 60 V 78A (Tc) 116W (Tc) Otwór przelotowy TO-220-3
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Sanken Electric USA Inc.
Seria	-
Opakowanie	Rurka
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	60 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	78A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	6,3mOhm przy 39A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,5V przy 1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	53.6 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	3810 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	116W (Tc)
Temperatura robocza	150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-220-3
Obudowa / skrzynia	TO-220-3