SCT2H12NYTB Rohm Semiconductor | Półprzewodniki dyskretne

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SCT2H12NYTB
Numer produktu DigiKey	SCT2H12NYTBTR-ND - Taśma i szpula (TR) SCT2H12NYTBCT-ND - Taśma cięta (CT) SCT2H12NYTBDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Rohm Semiconductor
Numer produktu producenta	SCT2H12NYTB
Opis	SICFET N-CH 1700V 4A TO268
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 1700 V 4A (Tc) 44W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-268
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SCT2H12NYTB Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Rohm Semiconductor
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał N
Technologia	SiCFET (węglik krzemu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	1700 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	4A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	18V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	1,5Ohm przy 1,1A, 18V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 410µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	14 nC @ 18 V
Vgs (maks.)	+22V, -6V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	184 pF @ 800 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	44W (Tc)
Temperatura robocza	175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-268
Obudowa / skrzynia	TO-268-3, D3PAK (2 odpr. + wypust), TO-268AA
Bazowy numer produktu	SCT2H12