Name: RV8C010UNHZGG2CR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RV8C010UNHZGG2CRTR-ND
Price: 3.9114 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

RV8C010UNHZGG2CR
Numer produktu DigiKey	846-RV8C010UNHZGG2CRTR-ND - Taśma i szpula (TR) 846-RV8C010UNHZGG2CRCT-ND - Taśma cięta (CT) 846-RV8C010UNHZGG2CRDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Rohm Semiconductor
Numer produktu producenta	RV8C010UNHZGG2CR
Opis	MOSFET N-CH 20V 1A DFN1010-3W
Standardowy czas realizacji przez producenta	99 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 20 V 1A (Ta) 1W Montaż powierzchniowy DFN1010-3W
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Rohm Semiconductor
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	20 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	1A (Ta)
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	470mOhm przy 500mA, 4,5V
Vgs(th) (maks.) przy Id	1V przy 1mA
Vgs (maks.)	±8V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	40 pF @ 10 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	1W
Temperatura robocza	150°C (TJ)
Klasa	Motoryzacja
Kwalifikacja	AEC-Q101
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	DFN1010-3W
Obudowa / skrzynia	3-XFDFN
Bazowy numer produktu	RV8C010