Name: RUF015N02TL
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RUF015N02TLTR-ND
Price: 3.3825 PLN
Availability: InStock

Potrzebujesz pomocy?

Twoja opinia

Informacje o DigiKey Marketplace Sprzedawaj na DigiKey.com Kariera Mapa serwisu Rozwiązania cyfrowe Serwis informacyjny

Pomoc i wsparcie Status zamówienia Stawki i opcje wysyłek Zwroty i zagadnienia dotyczące zamawiania

Chat (+48) 22 53 64 114 poland.support@digikey.com Co-Browse

RUF015N02TL
Numer produktu DigiKey	RUF015N02TLTR-ND - Taśma i szpula (TR) RUF015N02TLCT-ND - Taśma cięta (CT) RUF015N02TLDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Rohm Semiconductor
Numer produktu producenta	RUF015N02TL
Opis	MOSFET N-CH 20V 1.5A TUMT3
Standardowy czas realizacji przez producenta	21 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 20 V 1,5A (Ta) 800mW (Ta) Montaż powierzchniowy TUMT3
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	RUF015N02TL Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Rohm Semiconductor
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	20 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	1,5A (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	1,8V, 4,5V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	180mOhm przy 1,5A, 4,5V
Vgs(th) (maks.) przy Id	1V przy 1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	2.5 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)	±10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	110 pF @ 10 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	800mW (Ta)
Temperatura robocza	150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TUMT3
Obudowa / skrzynia	3-SMD, odprowadzenia płaskie
Bazowy numer produktu	RUF015

Cena jednostkowa bez VAT:	2,75000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	3,38250 zł

RUF015N02TL