Name: RS7N200BHTB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RS7N200BHTB1TR-ND
Price: 24.4278 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

RS7N200BHTB1
Numer produktu DigiKey	846-RS7N200BHTB1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 846-RS7N200BHTB1CT-ND - Taśma cięta (CT) 846-RS7N200BHTB1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Rohm Semiconductor
Numer produktu producenta	RS7N200BHTB1
Opis	NCH 80V 230A, DFN5060-8S, POWER
Standardowy czas realizacji przez producenta	18 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 80 V 230A (Ta) 3W (Ta), 180W (Tc) Montaż powierzchniowy DFN5060-8S
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 4V przy 1mA
Prod. Rohm Semiconductor	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 92 nC @ 10 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±20V
Status części Aktywny	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 6550 pF @ 40 V
Typ FET Kanał N	Straty mocy (maks.) 3W (Ta), 180W (Tc)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 80 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 230A (Ta)	Obudowa dostawcy urządzenia DFN5060-8S
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 6V, 10V	Obudowa / skrzynia 8-PowerTDFN
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 2mOhm przy 50A, 10V