Name: RS6L120BGTB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RS6L120BGTB1TR-ND
Price: 20.664 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

RS6L120BGTB1
Numer produktu DigiKey	846-RS6L120BGTB1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 846-RS6L120BGTB1CT-ND - Taśma cięta (CT) 846-RS6L120BGTB1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Rohm Semiconductor
Numer produktu producenta	RS6L120BGTB1
Opis	NCH 60V 120A, HSOP8, POWER MOSFE
Standardowy czas realizacji przez producenta	18 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 60 V 120A (Tc) 104W (Tc) Montaż powierzchniowy 8-HSOP
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 2,5V przy 1mA
Prod. Rohm Semiconductor	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 51 nC @ 10 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±20V
Status części Aktywny	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 3520 pF @ 30 V
Typ FET Kanał N	Straty mocy (maks.) 104W (Tc)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza 150°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 60 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 120A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia 8-HSOP
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 4,5V, 10V	Obudowa / skrzynia 8-PowerTDFN
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 2,7mOhm przy 90A, 10V