Name: RS3E180ATTB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RS3E180ATTB1TR-ND
Price: 16.2975 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

RS3E180ATTB1
Numer produktu DigiKey	RS3E180ATTB1TR-ND - Taśma i szpula (TR) RS3E180ATTB1CT-ND - Taśma cięta (CT) RS3E180ATTB1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Rohm Semiconductor
Numer produktu producenta	RS3E180ATTB1
Opis	MOSFET P-CH 30V 18A 8SOP
Standardowy czas realizacji przez producenta	18 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 30 V 18A (Ta) 1,4W (Ta) Montaż powierzchniowy 8-SOP
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	RS3E180ATTB1 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 2,5V przy 5mA
Prod. Rohm Semiconductor	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 160 nC @ 10 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±20V
Status części Aktywny	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 7200 pF @ 15 V
Typ FET Kanał P	Straty mocy (maks.) 1,4W (Ta)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza 150°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 30 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 18A (Ta)	Obudowa dostawcy urządzenia 8-SOP
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 4,5V, 10V	Obudowa / skrzynia 8-SOIC (szerokość 0,154", 3,90mm)
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 5.4mOhm przy 18A, 10V	Bazowy numer produktu RS3E