Name: RS1E200GNTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RS1E200GNTBTR-ND
Price: 5.5842 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

RS1E200GNTB
Numer produktu DigiKey	RS1E200GNTBTR-ND - Taśma i szpula (TR) RS1E200GNTBCT-ND - Taśma cięta (CT) RS1E200GNTBDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Rohm Semiconductor
Numer produktu producenta	RS1E200GNTB
Opis	MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP
Standardowy czas realizacji przez producenta	21 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 30 V 20A (Ta), 57A (Tc) 3W (Ta), 25W (Tc) Montaż powierzchniowy 8-HSOP
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	RS1E200GNTB Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Rohm Semiconductor
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	30 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	20A (Ta), 57A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	4,6mOhm przy 20A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,5V przy 1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	16.8 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1080 pF @ 15 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	3W (Ta), 25W (Tc)
Temperatura robocza	150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	8-HSOP
Obudowa / skrzynia	8-PowerTDFN
Bazowy numer produktu	RS1E