Name: RQ3L070ATTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RQ3L070ATTBTR-ND
Price: 9.5448 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

RQ3L070ATTB
Numer produktu DigiKey	846-RQ3L070ATTBTR-ND - Taśma i szpula (TR) 846-RQ3L070ATTBCT-ND - Taśma cięta (CT) 846-RQ3L070ATTBDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Rohm Semiconductor
Numer produktu producenta	RQ3L070ATTB
Opis	PCH -60V -25A, HSMT8, POWER MOSF
Standardowy czas realizacji przez producenta	16 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 60 V 25A (Tc) 2W (Ta) Montaż powierzchniowy 8-HSMT (3,2x3)
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	RQ3L070ATTB Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 2,5V przy 1mA
Prod. Rohm Semiconductor	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 48 nC @ 10 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±20V
Status części Aktywny	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 2850 pF @ 30 V
Typ FET Kanał P	Straty mocy (maks.) 2W (Ta)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza 150°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 60 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 25A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia 8-HSMT (3,2x3)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 4,5V, 10V	Obudowa / skrzynia 8-PowerVDFN
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 28mOhm przy 7A, 10V	Bazowy numer produktu RQ3L070