Name: RQ3L050GNTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ3L050GNTBTR-ND
Price: 5.4981 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

RQ3L050GNTB
Numer produktu DigiKey	RQ3L050GNTBTR-ND - Taśma i szpula (TR) RQ3L050GNTBCT-ND - Taśma cięta (CT) RQ3L050GNTBDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Rohm Semiconductor
Numer produktu producenta	RQ3L050GNTB
Opis	MOSFET N-CHANNEL 60V 12A 8HSMT
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 60 V 12A (Tc) 14,8W (Tc) Montaż powierzchniowy 8-HSMT (3,2x3)
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	RQ3L050GNTB Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Rohm Semiconductor
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Nie do nowych projektów
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	60 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	12A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	61mOhm przy 5A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,5V przy 25µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	2.8 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	300 pF @ 30 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	14,8W (Tc)
Temperatura robocza	150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	8-HSMT (3,2x3)
Obudowa / skrzynia	8-PowerVDFN
Bazowy numer produktu	RQ3L050