Name: RQ3E150BNTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ3E150BNTBTR-ND
Price: 4.1451 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

RQ3E150BNTB
Numer produktu DigiKey	RQ3E150BNTBTR-ND - Taśma i szpula (TR) RQ3E150BNTBCT-ND - Taśma cięta (CT) RQ3E150BNTBDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Rohm Semiconductor
Numer produktu producenta	RQ3E150BNTB
Opis	MOSFET N-CH 30V 15A 8HSMT
Standardowy czas realizacji przez producenta	21 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 30 V 15A (Ta), 39A (Tc) 2W (Ta), 17W (Tc) Montaż powierzchniowy 8-HSMT (3,2x3)
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	RQ3E150BNTB Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Rohm Semiconductor
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	30 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	15A (Ta), 39A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	5,3mOhm przy 15A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,5V przy 1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	45 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	3000 pF @ 15 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	2W (Ta), 17W (Tc)
Temperatura robocza	150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	8-HSMT (3,2x3)
Obudowa / skrzynia	8-PowerVDFN
Bazowy numer produktu	RQ3E150

Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

W magazynie: 2 601

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)