


RQ3E100GNTB | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | RQ3E100GNTBTR-ND - Taśma i szpula (TR) RQ3E100GNTBCT-ND - Taśma cięta (CT) RQ3E100GNTBDKR-ND - Digi-Reel® |
Producent | |
Numer produktu producenta | RQ3E100GNTB |
Opis | MOSFET N-CH 30V 10A 8HSMT |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 16 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 30 V 10A (Ta) 2W (Ta), 15W (Tc) Montaż powierzchniowy 8-HSMT (3,2x3) |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | RQ3E100GNTB Modele |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Prod. | ||
Seria | - | |
Opakowanie | Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel® | |
Status części | Aktywny | |
Typ FET | ||
Technologia | ||
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 30 V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | ||
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) | 4,5V, 10V | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 11,7mOhm przy 10A, 10V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 2,5V przy 1mA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 7.9 nC @ 10 V | |
Vgs (maks.) | ±20V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 420 pF @ 15 V | |
Charakterystyka FET | - | |
Straty mocy (maks.) | 2W (Ta), 15W (Tc) | |
Temperatura robocza | 150°C (TJ) | |
Klasa | - | |
Kwalifikacja | - | |
Typ mocowania | Montaż powierzchniowy | |
Obudowa dostawcy urządzenia | 8-HSMT (3,2x3) | |
Obudowa / skrzynia | ||
Bazowy numer produktu |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 2,57000 zł | 2,57 zł |
| 10 | 1,58500 zł | 15,85 zł |
| 100 | 1,01800 zł | 101,80 zł |
| 500 | 0,77322 zł | 386,61 zł |
| 1 000 | 0,69432 zł | 694,32 zł |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,59395 zł | 1 781,85 zł |
| 6 000 | 0,54338 zł | 3 260,28 zł |
| 9 000 | 0,51762 zł | 4 658,58 zł |
| 15 000 | 0,48866 zł | 7 329,90 zł |
| 21 000 | 0,47151 zł | 9 901,71 zł |
| 30 000 | 0,45485 zł | 13 645,50 zł |
| 75 000 | 0,44479 zł | 33 359,25 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 2,57000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 3,16110 zł |

