Name: RQ1E070RPTR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ1E070RPTR-ND
Price: 8.4747 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

RQ1E070RPTR
Numer produktu DigiKey	RQ1E070RPTR-ND - Taśma i szpula (TR) RQ1E070RPCT-ND - Taśma cięta (CT) RQ1E070RPDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Rohm Semiconductor
Numer produktu producenta	RQ1E070RPTR
Opis	MOSFET P-CH 30V 7A TSMT8
Standardowy czas realizacji przez producenta	12 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 30 V 7A (Ta) 550mW (Ta) Montaż powierzchniowy TSMT8
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	RQ1E070RPTR Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 2,5V przy 1mA
Prod. Rohm Semiconductor	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 26 nC @ 5 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±20V
Status części Aktywny	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 2700 pF @ 10 V
Typ FET Kanał P	Straty mocy (maks.) 550mW (Ta)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza 150°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 30 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 7A (Ta)	Obudowa dostawcy urządzenia TSMT8
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 4V, 10V	Obudowa / skrzynia 8-SMD, odprowadzenia płaskie
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 17mOhm przy 7A, 10V	Bazowy numer produktu RQ1E070

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

Zamienniki (2)

Numer katalogowy	Producent	Ilość dostępna	Numer produktu DigiKey	Cena jednostkowa	Rodzaj zamiennika
PJQ4403P_R2_00001	Panjit International Inc.	19 838	3757-PJQ4403P_R2_00001CT-ND	3,38000 zł	Similar
ECH8310-TL-H	onsemi	4 101	ECH8310-TL-HOSCT-ND	5,28000 zł	Similar