Name: RQ1C075UNTR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ1C075UNTR-ND
Price: 4.9569 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

RQ1C075UNTR
Numer produktu DigiKey	RQ1C075UNTR-ND - Taśma i szpula (TR) RQ1C075UNCT-ND - Taśma cięta (CT) RQ1C075UNDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Rohm Semiconductor
Numer produktu producenta	RQ1C075UNTR
Opis	MOSFET N-CH 20V 7.5A TSMT8
Standardowy czas realizacji przez producenta	16 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 20 V 7,5A (Ta) 700mW (Ta) Montaż powierzchniowy TSMT8
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	RQ1C075UNTR Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Rohm Semiconductor
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	20 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	7,5A (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	1,5V, 4,5V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	16mOhm przy 7,5A, 4,5V
Vgs(th) (maks.) przy Id	1V przy 1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	18 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)	±10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1400 pF @ 10 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	700mW (Ta)
Temperatura robocza	150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TSMT8
Obudowa / skrzynia	8-SMD, odprowadzenia płaskie
Bazowy numer produktu	RQ1C075