Name: RF9P120BLFRATCR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RF9P120BLFRATCRTR-ND
Price: 7.0233 PLN
Availability: InStock

Nowości w DigiKey

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

RF9P120BLFRATCR
Numer produktu DigiKey	846-RF9P120BLFRATCRTR-ND - Taśma i szpula (TR) 846-RF9P120BLFRATCRCT-ND - Taśma cięta (CT) 846-RF9P120BLFRATCRDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Rohm Semiconductor
Numer produktu producenta	RF9P120BLFRATCR
Opis	NCH 100V 12A, DFN2020Y7LSAA, POW
Standardowy czas realizacji przez producenta	16 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 12A (Tc) 23W (Tc) Montaż powierzchniowy DFN2020Y7LSAA
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Rohm Semiconductor
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	100 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	12A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	6V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	61mOhm przy 3A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 843µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	6.8 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	360 pF @ 50 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	23W (Tc)
Temperatura robocza	150°C (TJ)
Klasa	Motoryzacja
Kwalifikacja	AEC-Q101
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	DFN2020Y7LSAA
Obudowa / skrzynia	6-UDFN podkładka odsłonięta