Name: RF4P060BGTCR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RF4P060BGTCRTR-ND
Price: 5.3382 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

RF4P060BGTCR
Numer produktu DigiKey	846-RF4P060BGTCRTR-ND - Taśma i szpula (TR) 846-RF4P060BGTCRCT-ND - Taśma cięta (CT) 846-RF4P060BGTCRDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Rohm Semiconductor
Numer produktu producenta	RF4P060BGTCR
Opis	NCH 100V 6A, HUML2020L8, POWER M
Standardowy czas realizacji przez producenta	16 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 6A (Ta) 2W (Ta) Montaż powierzchniowy DFN2020-8S
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 2,5V przy 1mA
Prod. Rohm Semiconductor	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 6.7 nC @ 10 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±20V
Status części Aktywny	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 305 pF @ 50 V
Typ FET Kanał N	Straty mocy (maks.) 2W (Ta)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza 150°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 100 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 6A (Ta)	Obudowa dostawcy urządzenia DFN2020-8S
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 4,5V, 10V	Obudowa / skrzynia 8-PowerUDFN
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 53mOhm przy 6A, 10V	Bazowy numer produktu RF4P060

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

W magazynie: 2 771

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)

Opakowanie standardowe producenta

Cena jednostkowa bez VAT:	4,34000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	5,33820 zł

Mogą Cię również zainteresować

1 Pozycje

DMT10H032LFDF-7

MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020

Diodes Incorporated

RF4P060BGTCR