Name: RF4G100BGTCR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RF4G100BGTCRTR-ND
Price: 6.1623 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

RF4G100BGTCR
Numer produktu DigiKey	846-RF4G100BGTCRTR-ND - Taśma i szpula (TR) 846-RF4G100BGTCRCT-ND - Taśma cięta (CT) 846-RF4G100BGTCRDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Rohm Semiconductor
Numer produktu producenta	RF4G100BGTCR
Opis	NCH 40V 10A, HUML2020L8, POWER M
Standardowy czas realizacji przez producenta	21 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 40 V 10A (Ta) 2W (Ta) Montaż powierzchniowy DFN2020-8S
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Rohm Semiconductor
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	40 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	10A (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	14,2mOhm przy 10A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,5V przy 1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	10.6 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	530 pF @ 20 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	2W (Ta)
Temperatura robocza	150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	DFN2020-8S
Obudowa / skrzynia	8-PowerUDFN
Bazowy numer produktu	RF4G100