Name: RF4E080GNTR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RF4E080GNTRTR-ND
Price: 3.444 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

RF4E080GNTR
Numer produktu DigiKey	RF4E080GNTRTR-ND - Taśma i szpula (TR) RF4E080GNTRCT-ND - Taśma cięta (CT) RF4E080GNTRDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Rohm Semiconductor
Numer produktu producenta	RF4E080GNTR
Opis	MOSFET N-CH 30V 8A HUML2020L8
Standardowy czas realizacji przez producenta	16 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 30 V 8A (Ta) 2W (Ta) Montaż powierzchniowy HUML2020L8
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	RF4E080GNTR Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 2,5V przy 250µA
Prod. Rohm Semiconductor	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 5.8 nC @ 10 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±20V
Status części Aktywny	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 295 pF @ 15 V
Typ FET Kanał N	Straty mocy (maks.) 2W (Ta)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza 150°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 30 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 8A (Ta)	Obudowa dostawcy urządzenia HUML2020L8
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 4,5V, 10V	Obudowa / skrzynia 8-PowerUDFN
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 17,6mOhm przy 8A, 10V	Bazowy numer produktu RF4E080

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

W magazynie: 2 030

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)

Opakowanie standardowe producenta

Cena jednostkowa bez VAT:	2,80000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	3,44400 zł

RF4E080GNTR