
RF4E110BNTR | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | RF4E110BNTRTR-ND - Taśma i szpula (TR) RF4E110BNTRCT-ND - Taśma cięta (CT) RF4E110BNTRDKR-ND - Digi-Reel® |
Producent | |
Numer produktu producenta | RF4E110BNTR |
Opis | MOSFET N-CH 30V 11A HUML2020L8 |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 16 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 30 V 11A (Ta) 2W (Ta) Montaż powierzchniowy HUML2020L8 |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | RF4E110BNTR Modele |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Prod. | ||
Seria | - | |
Opakowanie | Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel® | |
Status części | Aktywny | |
Typ FET | ||
Technologia | ||
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 30 V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | ||
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) | 4,5V, 10V | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 11,1mOhm przy 11A, 10V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 2V przy 250µA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 24 nC @ 10 V | |
Vgs (maks.) | ±20V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 1200 pF @ 15 V | |
Charakterystyka FET | - | |
Straty mocy (maks.) | 2W (Ta) | |
Temperatura robocza | 150°C (TJ) | |
Klasa | - | |
Kwalifikacja | - | |
Typ mocowania | Montaż powierzchniowy | |
Obudowa dostawcy urządzenia | HUML2020L8 | |
Obudowa / skrzynia | ||
Bazowy numer produktu |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 3,89000 zł | 3,89 zł |
| 10 | 2,43200 zł | 24,32 zł |
| 100 | 1,58990 zł | 158,99 zł |
| 500 | 1,22818 zł | 614,09 zł |
| 1 000 | 1,11171 zł | 1 111,71 zł |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,96369 zł | 2 891,07 zł |
| 6 000 | 0,88915 zł | 5 334,90 zł |
| 9 000 | 0,85119 zł | 7 660,71 zł |
| 15 000 | 0,80853 zł | 12 127,95 zł |
| 21 000 | 0,79788 zł | 16 755,48 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 3,89000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 4,78470 zł |

