Name: RCX080N25
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RCX080N25-ND
Price: 8.2779 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

RCX080N25
Numer produktu DigiKey	RCX080N25-ND
Producent	Rohm Semiconductor
Numer produktu producenta	RCX080N25
Opis	MOSFET N-CH 250V 8A TO220FM
Standardowy czas realizacji przez producenta	16 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 250 V 8A (Tc) 2,23W (Ta), 35W (Tc) Otwór przelotowy TO-220FM
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	RCX080N25 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Rohm Semiconductor
Seria	-
Opakowanie	Zbiorcze
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	250 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	8A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	600mOhm przy 4A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	5V przy 1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	15 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	840 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	2,23W (Ta), 35W (Tc)
Temperatura robocza	150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-220FM
Obudowa / skrzynia	TO-220-3, pełny pakiet
Bazowy numer produktu	RCX080

Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

W magazynie: 468

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Zbiorcze