R6020KNZ1C9 jest przestarzałe i nie jest już produkowane.
Dostępne zamienniki:

Bezpośrednie


Rohm Semiconductor
W magazynie: 402
Cena jednostkowa : 7,28000 zł
Arkusz danych

Similar


Rohm Semiconductor
W magazynie: 17
Cena jednostkowa : 5,55000 zł
Arkusz danych

Bezpośrednie


onsemi
W magazynie: 381
Cena jednostkowa : 6,35000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 2 139
Cena jednostkowa : 4,78000 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 510
Cena jednostkowa : 13,54000 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 11,74000 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 8,71783 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 16,45000 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 24,20347 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 326
Cena jednostkowa : 7,67000 zł
Arkusz danych

Similar


Vishay Siliconix
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 1,84378 zł
Arkusz danych

Similar


Vishay Siliconix
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 5,03000 zł
Arkusz danych

Similar


Vishay Siliconix
W magazynie: 378
Cena jednostkowa : 6,16000 zł
Arkusz danych
Kanał N 600 V 20A (Tc) 231W (Tc) Otwór przelotowy TO-247
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

R6020KNZ1C9

Numer produktu DigiKey
R6020KNZ1C9-ND
Producent
Numer produktu producenta
R6020KNZ1C9
Opis
MOSFET N-CH 600V 20A TO247
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 600 V 20A (Tc) 231W (Tc) Otwór przelotowy TO-247
Arkusz danych
 Arkusz danych
Modele EDA/CAD
R6020KNZ1C9 Modele
Atrybuty produktu
Filtruj podobne produkty
Pokaż puste atrybuty
Kategoria
Vgs(th) (maks.) przy Id
5V przy 1mA
Prod.
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
40 nC @ 10 V
Opakowanie
Rurka
Vgs (maks.)
±20V
Status części
Nieaktualne
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
1550 pF @ 25 V
Typ FET
Straty mocy (maks.)
231W (Tc)
Technologia
Temperatura robocza
-55°C - 150°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600 V
Typ mocowania
Otwór przelotowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
Obudowa dostawcy urządzenia
TO-247
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
10V
Obudowa / skrzynia
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
196mOhm przy 9,5A, 10V
Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów
Dodatkowe zasoby
Zamienniki (13)
Numer katalogowyProducent Ilość dostępnaNumer produktu DigiKey Cena jednostkowa Rodzaj zamiennika
R6020KNZ4C13Rohm Semiconductor402846-R6020KNZ4C13-ND7,28000 złBezpośrednie
R6020KNZC17Rohm Semiconductor17846-R6020KNZC17-ND5,55000 złSimilar
FCH190N65F-F155onsemi381FCH190N65F-F155-ND6,35000 złBezpośrednie
IPW60R190C6FKSA1Infineon Technologies2 139IPW60R190C6FKSA1-ND4,78000 złSimilar
IXFH36N60PIXYS510IXFH36N60P-ND13,54000 złSimilar
Przestarzałe
Ten produkt nie jest już produkowany. Wyświetl Zamienniki.