R6020ENZ1C9 jest przestarzałe i nie jest już produkowane.
Dostępne zamienniki:

Bezpośrednie


Rohm Semiconductor
W magazynie: 550
Cena jednostkowa : 23,34000 zł
Arkusz danych

Similar


Rohm Semiconductor
W magazynie: 46
Cena jednostkowa : 24,49000 zł
Arkusz danych

Similar


Microchip Technology
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 41,22240 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 227
Cena jednostkowa : 19,53000 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 510
Cena jednostkowa : 57,20000 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 49,59000 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 69,48000 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 102,25880 zł
Arkusz danych

Similar


Vishay Siliconix
W magazynie: 439
Cena jednostkowa : 20,61000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 5 195
Cena jednostkowa : 25,89000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 16,41000 zł
Arkusz danych

Similar


Toshiba Semiconductor and Storage
W magazynie: 13
Cena jednostkowa : 25,53000 zł
Arkusz danych
Kanał N 600 V 20A (Tc) 120W (Tc) Otwór przelotowy TO-247
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

R6020ENZ1C9

Numer produktu DigiKey
R6020ENZ1C9-ND
Producent
Numer produktu producenta
R6020ENZ1C9
Opis
MOSFET N-CH 600V 20A TO247
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 600 V 20A (Tc) 120W (Tc) Otwór przelotowy TO-247
Arkusz danych
 Arkusz danych
Modele EDA/CAD
R6020ENZ1C9 Modele
Atrybuty produktu
Filtruj podobne produkty
Pokaż puste atrybuty
Kategoria
Vgs(th) (maks.) przy Id
4V przy 1mA
Prod.
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
60 nC @ 10 V
Opakowanie
Rurka
Vgs (maks.)
±20V
Status części
Nieaktualne
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
1400 pF @ 25 V
Typ FET
Straty mocy (maks.)
120W (Tc)
Technologia
Temperatura robocza
150°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600 V
Typ mocowania
Otwór przelotowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
Obudowa dostawcy urządzenia
TO-247
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
10V
Obudowa / skrzynia
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
196mOhm przy 9,5A, 10V
Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów
Dodatkowe zasoby
Zamienniki (12)
Numer katalogowyProducent Ilość dostępnaNumer produktu DigiKey Cena jednostkowa Rodzaj zamiennika
R6020ENZ4C13Rohm Semiconductor550846-R6020ENZ4C13-ND23,34000 złBezpośrednie
R6020ENZC17Rohm Semiconductor46846-R6020ENZC17-ND24,49000 złSimilar
APT34M60BMicrochip Technology0APT34M60B-ND41,22240 złSimilar
IPW65R190C7XKSA1Infineon Technologies227IPW65R190C7XKSA1-ND19,53000 złSimilar
IXFH36N60PIXYS510IXFH36N60P-ND57,20000 złSimilar
Przestarzałe
Ten produkt nie jest już produkowany. Wyświetl Zamienniki.