R6012FNX jest dostępne do zakupu, ale zwykle nie jest przechowywane w magazynie.
Dostępne zamienniki:

Similar


Rohm Semiconductor
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 6,23265 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 577
Cena jednostkowa : 9,65000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 972
Cena jednostkowa : 8,11000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 49
Cena jednostkowa : 13,79000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 1 700
Cena jednostkowa : 7,08000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 18,05000 zł
Arkusz danych

Similar


onsemi
W magazynie: 948
Cena jednostkowa : 17,13000 zł
Arkusz danych

Similar


Vishay Siliconix
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 11,45000 zł
Arkusz danych

Similar


Vishay Siliconix
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 3,50193 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 218
Cena jednostkowa : 10,68000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 1 328
Cena jednostkowa : 6,71000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 313
Cena jednostkowa : 15,26000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 378
Cena jednostkowa : 9,65000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 3,15211 zł
Arkusz danych
Kanał N 600 V 12A (Tc) 50W (Tc) Otwór przelotowy TO-220FM
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

R6012FNX

Numer produktu DigiKey
R6012FNX-ND
Producent
Numer produktu producenta
R6012FNX
Opis
MOSFET N-CH 600V 12A TO220FM
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 600 V 12A (Tc) 50W (Tc) Otwór przelotowy TO-220FM
Arkusz danych
 Arkusz danych
Modele EDA/CAD
R6012FNX Modele
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
Seria
-
Opakowanie
Zbiorcze
Status części
Nie do nowych projektów
Typ FET
Technologia
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
510mOhm przy 6A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id
5V przy 1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
1300 pF @ 25 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
50W (Tc)
Temperatura robocza
150°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia
TO-220FM
Obudowa / skrzynia
Bazowy numer produktu
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

Dostępne do zamawiania
Ten produkt nie znajduje się w magazynie DigiKey. Ukazany czas realizacji dotyczy wysyłki od producenta do firmy DigiKey. Po otrzymaniu produktu, DigiKey dokona wysyłki w celu realizacji otwartych zamówień.
Nie zalecane do nowych projektów. Mogą obowiązywać minimalne ilości. Wyświetl Zamienniki.
Wszystkie ceny podano w PLN
Zbiorcze
Ilość Cena jednostkowa Wartość
5009,21502 zł4 607,51 zł
Opakowanie standardowe producenta
Cena jednostkowa bez VAT:9,21502 zł
Cena jednostkowa z VAT:11,33447 zł