Name: AG040FGS4FRATCB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-AG040FGS4FRATCBTR-ND
Price: 16.113 PLN
Availability: OutOfStock

Nowości w DigiKey

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

AG040FGS4FRATCB
Numer produktu DigiKey	846-AG040FGS4FRATCBTR-ND - Taśma i szpula (TR) 846-AG040FGS4FRATCBCT-ND - Taśma cięta (CT) 846-AG040FGS4FRATCBDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Rohm Semiconductor
Numer produktu producenta	AG040FGS4FRATCB
Opis	NCH 40V 120A, HPLF5060T5LSAH, PO
Standardowy czas realizacji przez producenta	16 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 40 V 120A (Tc) 150W (Tc) Montaż powierzchniowy HPLF5060T5LSAH
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Rohm Semiconductor
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	40 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	120A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	1,4mOhm przy 120A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,5V przy 4,2mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	72.6 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	4660 pF @ 20 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	150W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	Motoryzacja
Kwalifikacja	AEC-Q101
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	HPLF5060T5LSAH
Obudowa / skrzynia	SC-100, SOT-669