Kanał N 100 V 10,3A (Tc) 50W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TO263-3-2
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SPB10N10LG

Numer produktu DigiKey
2156-SPB10N10LG-ND
Producent
Infineon Technologies
Numer produktu producenta
SPB10N10LG
Opis
N-CHANNEL POWER MOSFET
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 100 V 10,3A (Tc) 50W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TO263-3-2
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
Infineon Technologies
Seria
SIPMOS®
Opakowanie
Zbiorcze
Status części
Aktywny
Typ FET
Kanał N
Technologia
MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
10,3A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
154mOhm przy 8,1A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id
2V przy 21µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
444 pF @ 25 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
50W (Tc)
Temperatura robocza
-55°C - 175°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia
PG-TO263-3-2
Obudowa / skrzynia
TO-263-3, D2PAK (2 odpr. + wypust), TO-263AB
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

W magazynie: 993
Bez możliwości anulowania i zwrotu
PRODUKT Z PLATFORMY HANDLOWEJ
Wysyłka nastąpi w ciągu 10 dni od daty Rochester Electronics LLC
Obowiązywać będzie odrębna zryczałtowana opłata spedycyjna 333,82 zł
Ilość
Wszystkie ceny podano w PLN
Zbiorcze
Ilość Cena jednostkowa Wartość
4892,23773 zł1 094,25 zł
Cena jednostkowa bez VAT:2,23773 zł
Cena jednostkowa z VAT:2,75241 zł