PDTC114ET215 NXP Semiconductors | Półprzewodniki dyskretne

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

PDTC114ET215
Numer produktu DigiKey	2156-PDTC114ET215-NXP-ND
Producent	NXP Semiconductors
Numer produktu producenta	PDTC114ET215
Opis	TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Tranzystory - bipolarne (BJT) - pojedyncze pre-biased PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 230 MHz 250 mW Montaż powierzchniowy SOT23-3 (TO-236)
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Bipolarne (BJT) Tranzystory bipolarne spolaryzowane, pojedyncze
Producent	NXP Semiconductors
Seria	-
Opakowanie	Zbiorcze
Status części	Aktywny
Typ tranzystora	PNP - Pre-Biased
Prąd - kolektora (Ic) (maks.)	100 mA
Napięcie - przebicia kolektor-emiter (maks.)	50 V
Rezystory w zestawie	R1 oraz R2
Rezystor - bazy (R1)	10 kOhms
Rezystor - emitera (R2)	10 kOhms
Wzmocnienie stałoprądowe (hFE) (min.) @ Ic, Vce	30 przy 5mA, 5V
Nasycenie Vce (maks.) przy Ib, Ic	150mV przy 500µA, 10mA
Prąd - graniczny kolektora (maks.)	1µA
Częstotliwość - przejścia	230 MHz
Moc - maks.	250 mW
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa / skrzynia	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Obudowa dostawcy urządzenia	SOT23-3 (TO-236)