Name: FDN352AP
Brand: Fairchild Semiconductor
SKU: 2156-FDN352AP-ND
Price: 0.94538 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

FDN352AP
Numer produktu DigiKey	2156-FDN352AP-ND
Producent	Fairchild Semiconductor
Numer produktu producenta	FDN352AP
Opis	SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 30 V 1,3A (Ta) 500mW (Ta) Montaż powierzchniowy SOT-23-3
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Fairchild Semiconductor
Seria	PowerTrench®
Opakowanie	Zbiorcze
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał P
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	30 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	1,3A (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	180mOhm przy 1,3A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,5V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	1.9 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)	±25V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	150 pF @ 15 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	500mW (Ta)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	SOT-23-3
Obudowa / skrzynia	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Bazowy numer produktu	FDN352