FCH76N60N Fairchild Semiconductor | Półprzewodniki dyskretne

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

FCH76N60N
Numer produktu DigiKey	2156-FCH76N60N-ND
Producent	Fairchild Semiconductor
Numer produktu producenta	FCH76N60N
Opis	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 600 V 76A (Tc) 543W (Tc) Otwór przelotowy TO-247
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Fairchild Semiconductor
Seria	SupreMOS™
Opakowanie	Zbiorcze
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	600 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	76A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	36mOhm przy 38A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	285 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	12385 pF @ 100 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	543W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-247
Obudowa / skrzynia	TO-247-3