TPH3206LDGB Renesas Electronics Corporation | Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze

TPH3206LDGB jest przestarzałe i nie jest już produkowane.

Dostępne zamienniki:

Similar

Renesas Electronics Corporation

W magazynie: 2 366

Cena jednostkowa : 18,17000 zł

Similar

IXYS

W magazynie: 4 207

Cena jednostkowa : 28,08000 zł

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

TPH3206LDGB
Numer produktu DigiKey	TPH3206LDGB-ND
Producent	Renesas Electronics Corporation
Numer produktu producenta	TPH3206LDGB
Opis	GANFET N-CH 650V 16A PQFN
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 650 V 16A (Tc) 81W (Tc) Montaż powierzchniowy PQFN (8x8)
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 2,6V przy 500µA
Prod. Renesas Electronics Corporation	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 9.3 nC @ 4.5 V
Opakowanie Rurka	Vgs (maks.) ±18V
Status części Nieaktualne	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 760 pF @ 480 V
Typ FET Kanał N	Straty mocy (maks.) 81W (Tc)
Technologia GaNFET (azotek galu)	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 650 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 16A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia PQFN (8x8)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V	Obudowa / skrzynia 3-PowerDFN
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 180mOhm przy 11A, 8V