TP90H050WS Renesas Electronics Corporation | Półprzewodniki dyskretne

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

TP90H050WS
Numer produktu DigiKey	1707-TP90H050WS-ND
Producent	Renesas Electronics Corporation
Numer produktu producenta	TP90H050WS
Opis	GANFET N-CH 900V 34A TO247-3
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 900 V 34A (Tc) 119W (Tc) Otwór przelotowy TO-247-3
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Renesas Electronics Corporation
Seria	-
Opakowanie	Rurka
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał N
Technologia	GaNFET (Tranzystory cascode FET wykorzystujące azotek galu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	900 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	34A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	63mOhm przy 22A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4,4V przy 700µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	17.5 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	980 pF @ 600 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	119W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-247-3
Obudowa / skrzynia	TO-247-3
Bazowy numer produktu	TP90H050