Name: TP65H300G4JSGB-TR
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 1707-TP65H300G4JSGB-TR-ND
Price: 20.4057 PLN
Availability: InStock

Kanał N 650 V 9,2A (Tc) 41,6W (Tc) Montaż powierzchniowy PQFN (5x6)

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

TP65H300G4JSGB-TR
Numer produktu DigiKey	1707-TP65H300G4JSGB-TR-ND - Taśma i szpula (TR) 1707-TP65H300G4JSGB-TRCT-ND - Taśma cięta (CT) 1707-TP65H300G4JSGB-TRDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Renesas Electronics Corporation
Numer produktu producenta	TP65H300G4JSGB-TR
Opis	GANFET N-CH 650V 9.2A QFN5X6
Standardowy czas realizacji przez producenta	16 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 650 V 9,2A (Tc) 41,6W (Tc) Montaż powierzchniowy PQFN (5x6)
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 312mOhm przy 6,5A, 6V
Prod. Renesas Electronics Corporation	Vgs(th) (maks.) przy Id 2,8V przy 500µA
Seria SuperGaN®	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 3.5 nC @ 10 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±10V
Status części Aktywny	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 400 pF @ 400 V
Typ FET Kanał N	Straty mocy (maks.) 41,6W (Tc)
Technologia GaNFET (azotek galu)	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 650 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 9,2A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia PQFN (5x6)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 6V	Obudowa / skrzynia 8-PowerTDFN