TP65H035G4WSQA Renesas Electronics Corporation | Półprzewodniki dyskretne

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

TP65H035G4WSQA
Numer produktu DigiKey	1707-TP65H035G4WSQA-ND
Producent	Renesas Electronics Corporation
Numer produktu producenta	TP65H035G4WSQA
Opis	650 V 46.5 GAN FET
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 650 V 47,2A (Tc) 187W (Tc) Otwór przelotowy TO-247-3
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Renesas Electronics Corporation
Seria	-
Opakowanie	Rurka
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał N
Technologia	GaNFET (azotek galu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	650 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	47,2A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	41mOhm przy 30A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4,8V przy 1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	22 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1500 pF @ 400 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	187W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	Motoryzacja
Kwalifikacja	AEC-Q101
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-247-3
Obudowa / skrzynia	TO-247-3

Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

W magazynie: 28

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ten produkt nie jest już produkowany, a jego zapasy nie będą uzupełniane po wyczerpaniu.

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Rurka

Ilość	Cena jednostkowa	Wartość
1	73,64000 zł	73,64 zł

Uwaga: W przypadku zakupu produktu w ilości niższej od opakowania standardowego, rodzaj opakowania może ulec zmianie ze względu na usługi o wartości dodanej świadczone przez DigiKey.